(一)技術參數：
1、電 源：AC220V，50/60Hz；
2、額定功率：7kW；
3、爐膛尺寸：180×200mm；
4、加熱元件：Si-Mo矽鉬（mù）棒
5、額定溫度：1600℃，溫控精度：± 1℃，
升溫速率：10℃/min；
6、報警保護：上、下限, 正（zhèng）、負偏差, 斷偶等報警；
(二（èr）) 產（chǎn）品特色：
本（běn）設備適用於材料學相關專業的教學和科研實驗，由溫控係統、井式爐、真空係（xì）統、供氣係統、水冷係統五部分構成，可在真空或氣氛環境下用高溫（wēn）熔融生長（zhǎng）法製備各種氧（yǎng）化物（wù）、非氧化（huà）物晶體材料，以及對多晶體樣品（pǐn）進行燒結、熱處理（lǐ）等。
1、智能AI控溫，具備（bèi）50段程序編排功能，節能高效益；
2、特殊（shū）的爐膛保溫（wēn）材料，爐膛溫度分布均勻，保溫性能優異；
3、高溫控製範圍，100～1600℃；
4、保護氣氛的入口也可作為其它必要氣體的入口；
5、真空密封部件由製冷循環（huán）水冷卻，避免長流水費水擾民。
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