模擬，霍爾式接近開關
位（wèi）移量線性傳感器（qì）, 霍（huò）爾位移傳感器 ,電容式（shì）接近開關（guān） ,磁感應線性傳感（gǎn）器（qì）,模（mó）擬量接近開關
外形（xíng）編號: XTH XTL XTM
外形尺寸: M18X1X70 M30X1.5X75 40X40X118......
檢測距離: 埋入式:5mm 非埋入式:8mm - 埋入式:15mm非埋入式:20mm
電流型型號: XTH-05P1,XTH-K08P1,XTM-15P1,XTM-K20P1......
電壓（yā）型型號: XTH-05P2,XTH-K08P2,XTM-15P2,XTM-K20P2......
功耗 檢測時 ≤20mA ... < 4mA
功耗 無檢測時 ≤20mA
電壓範圍: 15-30V DC
負載電阻 電 流 型: 0 ～ 300 Ω
負載電阻 電 壓 型: ≥500KΩ
輸 出 電 流 型: 4 ～ 20 mA
輸 出（chū） 電 壓 型: 0 ～ 10 V
輸（shū）出特性曲線: 略
允許電壓波動: ≤ 5%
空載電流（24V時） 40mA
輸出信號: PNP模擬
線性誤差: ≤2%
外殼材料: 金屬（shǔ）表麵處（chù）理/ABS塑料
溫度飄移: ≤0.01mm／℃
重複精度: ≤１％
環境溫度: －25℃ ～85℃
防（fáng）護等級 IP67
霍爾式接近開（kāi）關原理簡介
具當（dāng）一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的（de）兩端就會產（chǎn）生電位差，這種現（xiàn）象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位（wèi）差值（zhí）稱為（wéi）霍爾電勢U，其表達式為
U=KIB/d
其中K為霍爾係數，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。
由（yóu）此可見，霍爾效應的靈（líng）敏度（dù）高低與（yǔ）外加磁場的磁感應強度成正比的關（guān）係（xì）。
霍爾開關的輸入端是以磁感（gǎn）應強度B來表征的（de），當B值（zhí）達到一定的程度時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻（fān）轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和接近開關類似有NPN、PNP、常開型（xíng）、常（cháng）閉型、鎖存型（雙極性）、雙信（xìn）號輸出之（zhī）分。
霍爾（ěr）開關具有無觸電、低功耗、長使用壽命（mìng）、響應頻（pín）率高等特點，內部采用環氧樹脂封灌J4-D8V JCW-30QA JCW-40QA JCW-48QA NJK-5001C NJK-5001D NJK-5001A
NJK-5001B NJK-5002C NJK-5002D NJK-5002CD NJK-5002A NJK-5002B NJK-5002AB
NJK-8002C NJK-8002D NJK-8002CD NJK-8002A NJK-8002B NJK-8002AB NJK-5003C NJK-5003D NJK-5003CD NJK-5003A NJK-5003B NJK-5003AB |
