鎧裝鉑熱波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單介紹
WZPK-466U|鎧裝（zhuāng）鉑熱波膜電阻CRZ係列薄膜鉑熱電阻元（yuán）件是把金屬鉑研製成粉漿，采用先進的激光噴濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜
WZPK-466U|鎧裝鉑（bó）熱波膜電阻
的詳細介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻（zǔ）
熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨（suí）之變化而變化。可用（yòng）於測量 -200℃～﹢800℃範（fàn）圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由於它（tā）的良好電輸出（chū）性能，熱電阻可為顯（xiǎn）示儀、記錄儀、調節儀（yí）、掃（sǎo）描儀及電腦提供精確的輸入值。
WZPK466U鎧裝鉑（bó）熱波膜電阻，WZPK-466U,的詳細資（zī）料：
1． 測溫範圍、允（yǔn）差
名稱 型號 分度號 測（cè）溫範圍 等級 允（yǔn）許偏差
鉑電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響應時（shí）間
在溫度出現階躍變（biàn）化時,熱電阻的電阻值變化至相當於該階躍變（biàn）化的50%，所需（xū）要的時間稱（chēng）為熱響應時（shí）間，用t0.5表示。
3.自熱（rè）影響
鉑電阻（zǔ）允許通過電流1mA，最大測量電流為（wéi）5mA，由此產（chǎn）生的升溫不大於0.3℃。
4.電阻溫度係（xì）數（α）與標稱值的偏差
名稱（chēng） 等級 α α
鉑（bó）電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻（zǔ）
當周圍空氣溫度15-35℃和相（xiàng）對濕度小於80%時熱電（diàn）阻絕緣電阻不小於100MΩ。
薄膜鉑電阻元（yuán）件
一、 概述
CRZ係（xì）列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研製成粉漿，采用先進的激光噴（pēn）濺（jiàn）薄膜技術及光刻法（fǎ）和幹燥蝕刻法把附著（zhe）在陶瓷基片上形（xíng）成膜，引線經過激光調（diào）阻製成，完全自（zì）動的生產程序保證了產品完全符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜（mó）鉑熱電阻元（yuán）件用陶瓷和鉑製成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的（de）溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良（liáng）好的防震和防衝（chōng）擊性能。
3． 薄膜表麵蓋以陶瓷，因而元件能夠承（chéng）受高壓，並具有良好的絕（jué）緣性。
4． 引線（xiàn）材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
型號 規格
長×寬×高 阻值 測量電流 精度 測量範圍 熱響應時（shí）間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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