模擬，霍爾（ěr）式接（jiē）近開關
位移量線（xiàn）性傳感（gǎn）器, 霍爾位移傳感（gǎn）器 ,電容式接近開關 ,磁感應線性傳感器,模擬量接（jiē）近開關
外形編號: XTH XTL XTM
外（wài）形尺寸: M18X1X70 M30X1.5X75 40X40X118......
檢測距（jù）離: 埋入式:5mm 非埋（mái）入式:8mm - 埋（mái）入式:15mm非埋入式:20mm
電流型型號: XTH-05P1,XTH-K08P1,XTM-15P1,XTM-K20P1......
電壓型型（xíng）號: XTH-05P2,XTH-K08P2,XTM-15P2,XTM-K20P2......
功耗 檢測時 ≤20mA ... < 4mA
功耗 無檢（jiǎn）測時 ≤20mA
電壓範圍: 15-30V DC
負（fù）載電阻 電 流 型: 0 ～ 300 Ω
負載電阻 電 壓 型: ≥500KΩ
輸 出 電 流 型: 4 ～ 20 mA
輸（shū） 出 電（diàn） 壓 型: 0 ～ 10 V
輸（shū）出特性曲線: 略
允許電壓波動: ≤ 5%
空載（zǎi）電流（24V時） 40mA
輸出信號（hào）: PNP模擬
線性誤差: ≤2%
外殼材料: 金屬表麵處理/ABS塑料
溫度飄移: ≤0.01mm／℃
重複精度: ≤１％
環境溫度（dù）: －25℃ ～85℃
防（fáng）護等級 IP67
霍爾式接近開關原理簡（jiǎn）介
具當（dāng）一（yī）塊通有電流（liú）的金（jīn）屬或半導體薄片垂直（zhí）地放在磁（cí）場中（zhōng）時，薄片的兩端就會（huì）產生電位差（chà），這種現（xiàn）象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差（chà）值（zhí）稱為霍爾電勢U，其表達式為
U=KIB/d
其中K為霍爾係數，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫（lún）慈力（lì）Lorrentz）的磁感應強度（dù），d是薄片的厚度。
由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比（bǐ）的關係。
霍爾開關的輸入端是以磁感（gǎn）應強（qiáng）度B來表征的，當B值達到一定的程度（dù）時，霍（huò）爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻（fān）轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和接近開關類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙信號輸出之分。
霍爾（ěr）開關具有無觸電、低（dī）功耗、長使用壽（shòu）命、響（xiǎng）應頻（pín）率（lǜ）高等特點，內部采用環氧樹脂封灌J4-D8V JCW-30QA JCW-40QA JCW-48QA NJK-5001C NJK-5001D NJK-5001A
NJK-5001B NJK-5002C NJK-5002D NJK-5002CD NJK-5002A NJK-5002B NJK-5002AB
NJK-8002C NJK-8002D NJK-8002CD NJK-8002A NJK-8002B NJK-8002AB NJK-5003C NJK-5003D NJK-5003CD NJK-5003A NJK-5003B NJK-5003AB |
