鎧裝鉑熱波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻CRZ係列薄（báo）膜（mó）鉑熱電阻元件是把金屬鉑研製成粉漿，采用先進的激光噴濺薄膜技（jì）術及光刻法和幹燥蝕刻法把附著在陶瓷（cí）基片上形成膜
WZPK-466U|鎧裝鉑（bó）熱波膜電阻
的詳細介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻
熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用（yòng）於測（cè）量 -200℃～﹢800℃範圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由於它的良好電輸出性（xìng）能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀（yí）及電（diàn）腦提供（gòng）精確的輸入值。
WZPK466U鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U,的詳細資料：
1． 測（cè）溫範圍、允差（chà）
名稱 型號 分度號 測溫範圍 等（děng）級 允許偏差
鉑電（diàn）阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅（tóng）電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻（zǔ）的電阻值變化（huà）至相當於該階躍變化的50%，所需要的時間稱（chēng）為熱響應時（shí）間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允（yǔn）許通過（guò）電流1mA，最大測量電流為（wéi）5mA，由此產生的升溫不大於（yú）0.3℃。
4.電阻溫度係數（shù）（α）與（yǔ）標稱值的偏差
名稱 等級 α α
鉑電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻
當周圍（wéi）空氣溫度15-35℃和相對濕度（dù）小於（yú）80%時熱電（diàn）阻（zǔ）絕緣（yuán）電阻不小於100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
一、 概述
CRZ係列薄膜（mó）鉑熱電阻元（yuán）件是把（bǎ）金屬鉑研製成粉漿，采用先進的（de）激光（guāng）噴濺薄膜技（jì）術及（jí）光刻（kè）法和幹燥蝕刻（kè）法把附著在陶瓷（cí）基片上形成膜，引線經過激光調阻製成，完全自動的生產程序保證（zhèng）了產品完全符合（hé）IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑（bó）熱電（diàn）阻元件用陶瓷和（hé）鉑製成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通（tōng）過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防衝擊性能（néng）。
3． 薄膜表麵蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，並（bìng）具有良好的（de）絕緣（yuán）性。
4． 引線材料為（wéi）鎳鍍金（jīn）和純鈀兩種。
5． 規格：
型號 規格
長×寬×高 阻值 測量電流 精度 測量範圍 熱響應時間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精（jīng）度：
等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許（xǔ）偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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