鎧裝鉑熱（rè）波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜（mó）電阻CRZ係列薄膜鉑熱電阻元件是把金（jīn）屬鉑研製（zhì）成粉漿，采用先（xiān）進的激（jī）光（guāng）噴濺薄膜技術及（jí）光刻法和幹（gàn）燥蝕（shí）刻法（fǎ）把附著在（zài）陶瓷基片上形成膜（mó）
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電（diàn）阻
的詳細介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻
熱（rè）電阻的工作原理：在溫度（dù）的作（zuò）用下，電阻絲（sī）的電阻隨之變化而變化。可（kě）用於測量 -200℃～﹢800℃範圍（wéi）內的（de）溫度。其優點是：偏（piān）差極小（xiǎo）。由於它的良好電輸（shū）出性能，熱電阻可為（wéi）顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精（jīng）確的輸入（rù）值。
WZPK466U鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U,的詳（xiáng）細資料：
1． 測溫範圍、允差
名稱 型號 分度號 測溫範圍 等級 允許偏差
鉑電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響（xiǎng）應時（shí）間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至（zhì）相當於該階躍變化的50%，所需要的時（shí）間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過（guò）電流1mA，最大測量電流為5mA，由（yóu）此產生的（de）升溫不大於0.3℃。
4.電阻（zǔ）溫度係數（α）與標（biāo）稱值的偏差
名稱（chēng） 等級 α α
鉑電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻
當周（zhōu）圍空氣溫度15-35℃和（hé）相（xiàng）對濕度小於80%時（shí）熱電阻（zǔ）絕緣電阻不小於100MΩ。
薄膜鉑（bó）電阻元件
一、 概述
CRZ係列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研製成粉漿（jiāng），采用（yòng）先進的激光噴濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕刻法（fǎ）把附著在陶瓷基片上形成膜，引線（xiàn）經（jīng）過激光調阻製成，完全自動的生（shēng）產程序（xù）保證了產品完全符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱（rè）電阻元件（jiàn）用陶瓷和鉑製（zhì）成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層（céng），因而它具有良好的防（fáng）震和防衝（chōng）擊性能（néng）。
3． 薄膜表麵蓋以陶（táo）瓷，因而元件能夠（gòu）承受（shòu）高壓，並具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
型號 規格
長×寬×高 阻值 測量電流 精度 測量範圍 熱響應時間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許偏（piān）差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
|
